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產(chǎn)品名稱：
GaN基外延片測溫儀
描述：UV400 GaN基外延片測溫儀用于GaN基外延的晶圓表面溫度和反射率真實測量，溫度范圍650…1300℃訪問次數(shù)： 1587更新時間： 2024-04-23
產(chǎn)品介紹
UV400 GaN基外延片測溫儀詳細說明
UV 400的前身TR 2100是*采用集成反射計(2001年)的高溫計，為使用光纖鏡頭和950 nm激光實時測量發(fā)射率建立了行業(yè)標準。藍寶石光管傳感器和實時的黑體校準源取得的研究進展提供了完整的溫度測量解決方案。
UV 400和UVR 400系統(tǒng)是專門為GaN基MOCVD外延工藝開發(fā)的下一代溫度傳感器。這些傳感器可以直接測量晶圓表面溫度，而非傳統(tǒng)的基座溫度。UVR 400較UV 400 增加了一個635 nm，0.5 kHz測量速度的反射率測量儀，可測量沉積厚度.
這些系統(tǒng)正在為 LED 生產(chǎn)過程設定一個新的標準，其結果顯示工藝溫度和終產(chǎn)品波長之間存在可靠的相關性.這種直接測量的方法可以更精確地控制晶片溫度，從而提高成品率
主要特點
使用紫外波段直接測量GaN層溫度；
使用脈沖光源實時快速測量發(fā)射率；
使用真正的光計數(shù)儀器將測量中的噪聲降至低；
防止由于延遲采樣（無快門打開和關閉）而造成的數(shù)據(jù)偏差
測溫范圍：650 至 1300℃
重復精度 0.01 °C (see TN-828)
典型應用
GaN 基 MOCVD 外延工藝
技術指標
| 測量參數(shù) | |
溫度范圍: | 650 至 1300°C |
子溫度區(qū)間: | 溫度范圍內(nèi)任意可調(diào)，小跨度 51°C |
響應波長: | 383 至 410 nm |
探測器: | 光電倍增管, 暗計數(shù)范圍小于原始值的 1% @ 650°C |
兩次測量之間的等待時間: | 少于 1 μs |
分辨率: | 軟件顯示0.1℃； |
發(fā)射率 ε: | 0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001 |
透射率 τ: | 0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001 |
積分時間; | 少8ms |
測量不確定度: | 小于 1000°C, 3°C; |
| 重復性: (ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C) | 0.1% 或 0.1°C |
| 電參數(shù) | |
| 功耗: | 大5W |
| 負載（模擬輸出）: | 0 至 500 ? |
| 隔離: | 電源，模擬輸出，數(shù)字接口彼此隔離 |
| 環(huán)境參數(shù) | |
| 防護等級: | IP 40 IEC 60529 |
| 真空和氣體: | 設備可承受氮氣和真空（低于10 mbar），外殼有氣孔 |
| 安裝位置: | 任意 |
| 環(huán)境溫度: | 10 至 38 °C |
| 存儲溫度: | -20 至 50 °C |
| 相對濕度: | 非凝露 |
| 重量: | 2.5 kg |
| 外殼: | 發(fā)黑氧化鋁 |
| CE 認證: | 根據(jù)歐盟有關電磁抗擾度的指令 |
| 接口 | |
模擬輸出: | 0 到 20 mA 或 4 到 20 mA, 線性 |
| 數(shù)字輸出: | RS485可尋址（半雙工） 波特率：1200 至 38400 |
| 大值存儲: | 內(nèi)置單存儲器或雙存儲器 tclear 可調(diào)(off; 0.01 s; 0.05 s; 0.25 s; 1 s; 5 s; 25 s), |
| 反射率測試（僅 UVR400） | |
| 測試范圍: | 0 至 100% |
| 速率: | 1000 Hz |
| 光源: | 激光二極管 |
| 測量波長 | 635 nm ±5 nm |
| 測量不確定度: | 測量范圍的 2% |
| 重復精度: | 測量范圍的 5% |
| 晶圓片允許傾斜公差: | 0.3° |
| 鏡頭工作距離 a: | 100mm |
| 模擬輸出: | 0到20 mA 或 4到20 mA ;可切換 |
| 負載: | 0 到 500 Ohm |
UV400 GaN基外延片測溫儀
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